2N696

更新时间： 2024-02-03 19:47:54

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美高森美 - MICROSEMI		晶体开关小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	57K
描述
NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

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2N696 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/99E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1000 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

2N696 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 99

Devices

Qualified Level

2N696

2N696S

2N697

2N697S

JAN

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

Value

Units

Vdc

Emitter-Base Voltage

5.0

Vdc

V_EBO

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= 25⁰C ⁽²⁾

0.6

2.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/mW

TO-5*

Thermal Resistance, Junction-to-Case

0.075

qJC

1) Derate linearly 4.0 mW/⁰C for T_A> 25⁰C

2) Derate linearly 13.3 mW/⁰C for T_C> 25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

R_BE= 10 W, I_C= 100 mAdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 100 Vdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

V_(BR)

CER

I_CBO

mAdc

0.1

V_CB= 30 Vdc

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 7.0 Vdc

ON CHARACTERISTICS ⁽³⁾

Forward-Current Transfer Ratio

I_C= 150 mAdc, V_CE= 10 Vdc

I_EBO

2N696,s

2N697,s

2N696,s

2N697,s

120

12.5

20.0

h_FE

I_C= 500 mAdc, V_CE= 10 Vdc

Collector-Emitter Saturation Voltage

I_C= 150 mAdc, I_B= 15 mAdc

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 150 mAdc, I_B= 15 mAdc

Vdc

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.3

1.5

1.3

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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