2N696

更新时间： 2024-02-12 19:34:40

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CENTRAL		晶体小信号双极晶体管
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2页	143K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-39 CASE

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2N696 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/99E	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1000 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

2N696 数据手册

2N696

NPN SILICON TRANSISTOR

JEDEC TO-39 CASE

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N696 is a Silicon NPN Transistor, mounted in a hermetically sealed metal package,

designed for general purpose amplifier and switching applications.

MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

UNITS

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Power Dissipation

CBO

CER

5.0

0.6

2.0

EBO

Power Dissipation (T =25°C)

Operating and Storage

Junction Temperature

T ,T

-65 to +200

292

°C

J stg

Thermal Resistance

°C/W

87.5

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

1.0

UNITS

µA

=30V

CBO

=30V, T =150°C

100

µA

CBO

I =100µA

CBO

I =100mA, R =10

CER

I =100µA

5.0

EBO

I =150mA, I =15mA

1.5

1.3

CE(SAT)

I =150mA, I =15mA

BE(SAT)

=10V, I =150mA

=10V, I =50mA, f=20MHz

MHz

=10V, I =0, f=1.0MHz

(SEE REVERSE SIDE)

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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