2N5491

更新时间： 2024-02-22 11:31:48

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	62K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2N5491 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	最大集电极电流 (IC)：	7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	140 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2N5491 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2N5491

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 40V(Min)

·Low Saturation Voltage-

: V_{CE (sat)}= 1V(Max)@I_C= 2.0A

APPLICATIONS

·Designed for a wide variety of medium-power switching and

amplifier applications , such as series and shunt regulators

and driver and output stages of high-fidelity amplifiers.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEV

V_CER

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

V_BE= -1.5V

Collector-Emitter Voltage

R_BE= 100Ω

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current-Continuous

Base Current

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_a=25℃

1.8

P_C

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

T_J

Junction Temperature

150

-65~150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

2.5

℃/W

R_{th j-c}

Rth j-a

isc Website：www.iscsemi.cn

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