5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7410
IRF7410 PDF预览

IRF7410

更新时间： 2024-01-29 13:57:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 103K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

获取价格

IRF7410 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.09
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：16 A最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：65 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7410 数据手册

 浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7410的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94025  
IRF7410  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
VDSS  
-12V  
RDS(on) max  
7mΩ@VGS = -4.5V  
9mΩ@VGS = -2.5V  
ID  
-16A  
-13.6A  
l Available in Tape & Reel  
13mΩ@VGS = -1.8V -11.5A  
Description  
These P-Channel HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievetheextremelylowon-resistance  
per silicon area. This benefit provides the designer  
with an extremely efficient device for use in battery  
and load management applications..  
A
1
2
8
D
S
S
7
D
3
4
6
S
D
5
G
D
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of  
powerapplications. Withtheseimprovements,multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
-20  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
-16  
-13  
A
-65  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation ƒ  
2.5  
W
Power Dissipation ƒ  
1.6  
Linear Derating Factor  
20  
mW/°C  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
±8  
V
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
50  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
07/11/01  
1234567...9

下载PDF

与IRF7410相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IRF741-002 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRF741-002PBF INFINEON 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

获取价格
IRF741-003PBF INFINEON 10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

获取价格
IRF741-004 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRF741-004PBF INFINEON Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格
IRF741-005 INFINEON Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

获取价格

与IRF7410相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证