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2ED020I06-FI

更新时间: 2024-01-20 02:35:17
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管
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20页 623K
描述
Dual IGBT Driver IC

2ED020I06-FI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP18/20,.4针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.7
Is Samacsys:N内置保护:OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码:R-PDSO-G18
JESD-609代码:e3长度:12.6 mm
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:18最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出电流流向:SINK
标称输出峰值电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP18/20,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.55 mm
子类别:Peripheral Drivers最大供电电压:5 V
最小供电电压:3.3 V标称供电电压:15 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:40000 µs接通时间:500 µs
宽度:7.6 mmBase Number Matches:1

2ED020I06-FI 数据手册

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Datasheet, April 2010  
2ED020I06-FI  
Dual IGBT Driver IC  
April 2010  
Power Managment & Drives  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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