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MB8504S064CE-100DG

更新时间: 2024-01-28 18:48:50
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1618K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144, PLASTIC, DIMM-144

MB8504S064CE-100DG 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:8.5 ns
JESD-30 代码:R-PDMA-N144内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX64封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:DUALBase Number Matches:1

MB8504S064CE-100DG 数据手册

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