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MB8508S064CZ-103LDG

更新时间： 2024-01-17 12:49:06

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	420K
描述
Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, PLASTIC, DIMM-168

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MB8508S064CZ-103LDG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	168
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX64
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MB8508S064CZ-103LDG 数据手册

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To Top / Lineup / Index

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-11139-1E

MEMORY

Un-buffered

8 M × 64 BIT

SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DIMM

MB8508S064CZ-102/-103/-102L/-103L

168-pin, 4 Clock, 1-bank, based on 8 M × 8 Bit SDRAMs with SPD

■ DESCRIPTION

TheFujitsuMB8508S064CZisafullydecoded, CMOSSynchronousDynamicRandomAccessMemory(SDRAM)

Module consisting of eight MB81F64842C devices which organized as four banks of 8 M × 8 bits and a 2K-bit

serial EEPROM on a 168-pin glass-epoxy substrate.

The MB8508S064CZ features a fully synchronous operation referenced to a positive edge clock whereby all

operations are synchronized at a clock input which enables high performance and simple user interface

coexistence.

The MB8508S064CZ is optimized for those applications requiring high speed, high performance and large

memory storage, and high density memory organizations.

This module is ideally suited for workstations, PCs, laser printers, and other applications where a simple interface

is needed.

■ PRODUCT LINE & FEATURES

Parameter

MB8508S064CZ-102/-102L

2-2-2 clk min.

MB8508S064CZ-103/-103L

3-2-2 clk min.

CL-t^RCD-t^RP

Clock Frequency

100 MHz max.

Burst Mode Cycle Time

Output Valid from Clock

10 ns min.

6 ns max. (CL = 2)

5472 mW max.

6 ns max. (CL = 3)

5472 mW max.

Two Banks Active

Self Refresh Mode

Power Dissipation

28.8 mW max. (Std. power)

14.4 mW max. (Low power)

28.8 mW max. (Std. power)

14.4 mW max. (Low power)

• Un-buffered 168-pin DIMM Socket Type

(Lead pitch: 1.27 mm)

• Conformed to JEDEC Standard (4 CLK)

• Organization: 8,388,608 words × 64 bits

• Memory: MB81F64842C (8 M × 8, 4-bank) × 8 pcs

• 3.3 V ±0.3 V Supply Voltage

• 4096 Refresh Cycle every 65.6 ms

• Auto and Self Refresh

• CKE Power Down Mode

• DQM Byte Masking (Read/Write)

• Serial Presence Detect (SPD) with Serial EEPROM:

Intel SPD spec Rev 1.2A Format

• All input/output LVTTL compatible

• Conformed to Intel PC/100 spec

• Module size:

1.375” (height) × 5.25” (length) × 0.157” (thickness)

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MB8508S072AG-100DG	FUJITSU	8MX72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8.5ns, PDMA168	获取价格
MB8508S072AG-67DG	FUJITSU	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 9ns, CMOS, PDMA168	获取价格
MB8508S072AG-67LDG	FUJITSU	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 9ns, CMOS, PDMA168	获取价格
MB8508S072AG-84DG	FUJITSU	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168	获取价格
MB8508S072AG-84LDG	FUJITSU	Synchronous DRAM Module, 8MX72, 8.5ns, CMOS, PDMA168	获取价格
MB85101A-12	FUJITSU	64KX4 MULTI DEVICE DRAM MODULE, 120ns, SMA22, SIMM-22	获取价格

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