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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.55 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.115 A | 最大漏源导通电阻： | 7.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7002-T1 | ETC | TRANSISTOR SOT23 SMD MOSFET |
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| 2N7002T-13-F | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7002-T1-E3 | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| 2N7002-T1-GE3 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2N7002T2 | CALOGIC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2N7002T-7 | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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