9N90G-T47-T

更新时间： 2024-01-02 23:41:16

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描述
900V N-CHANNEL MOSFET

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9N90G-T47-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

9N90G-T47-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

9N90

Power MOSFET

900V N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION

The UTC 9N90 uses UTC’s advanced proprietary, planar

TO-247

stripe, DMOS technology to provide excellent R_DS(ON), low gate

charge and operation with low gate voltages. This device is suitable

for use as a load switch or in PWM applications.

FEATURES

* RDS(ON) = 1.4Ω @VGS = 10 V

* Ultra Low Gate Charge ( Typical 45 nC )

* Low Reverse Transfer Capacitance ( CRSS = Typical 14 pF )

* Fast Switching Capability

TO-3P

* Avalanche Energy Specified

* Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

TO-220F1

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

9N90L-T47-T

9N90L-T3P-T

9N90L-TF1-T

Halogen Free

9N90G-T47-T

9N90G-T3P-T

9N90G-TF1-T

TO-247

TO-3P

Tube

TO-220F1

www.unisonic.com.tw

1 of 6

QW-R502-217.E

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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9N90G-TF1-T	UTC	900V N-CHANNEL MOSFET	获取价格
9N90G-TF2-T	UTC	9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
9N90G-TF3-T	UTC	9A, 900V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
9N90-H	UTC	N-CH	获取价格