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93AA46A-E/ST

更新时间: 2024-01-11 11:27:04
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
24页 388K
描述
1K Microwire Compatible Serial EEPROM

93AA46A-E/ST 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, SOP8,.25针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.42
Is Samacsys:N其他特性:100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度:8最大时钟频率 (fCLK):2 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:64 words
字数代码:64工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64X16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2/5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:TS 16949
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:MICROWIRE
最大待机电流:0.00003 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3.91 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
写保护:SOFTWAREBase Number Matches:1

93AA46A-E/ST 数据手册

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93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C  
FIGURE 1-1:  
SYNCHRONOUS DATA TIMING  
VIH  
VIL  
VIH  
CS  
TCSS  
TCKH  
TCKL  
TCSH  
CLK  
DI  
VIL  
TDIS  
TDIH  
VIH  
VIL  
TCZ  
TCZ  
TPD  
TPD  
VOH  
DO  
(READ)  
VOL  
VOH  
TSV  
DO  
(PROGRAM)  
STATUS VALID  
VOL  
Note: TSV is relative to CS.  
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X 16 ORGANIZATION (93XX46B OR 93XX46C WITH ORG = 1)  
Instruction  
SB  
Opcode  
Address  
Data In  
Data Out  
Req. CLK Cycles  
1
1
1
1
1
1
1
11  
00  
00  
00  
10  
01  
00  
A5  
1
A4  
0
A3  
X
A2  
X
A1  
X
A0  
X
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
HIGH-Z  
9
9
ERASE  
ERAL  
EWDS  
EWEN  
READ  
WRITE  
WRAL  
0
0
X
X
X
X
9
1
1
X
X
X
X
HIGH-Z  
9
A5  
A5  
0
A4  
A4  
1
A3  
A3  
X
A2  
A2  
X
A1  
A1  
X
A0  
A0  
X
D15 - D0  
25  
25  
25  
D15 - D0  
D15 - D0  
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X 8 ORGANIZATION (93XX46A OR 93XX46C WITH ORG = 0)  
Instruction  
SB  
Opcode  
Address  
Data In  
Data Out  
Req. CLK Cycles  
1
1
1
1
1
1
1
11  
00  
00  
00  
10  
01  
00  
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
HIGH-Z  
10  
10  
10  
10  
18  
18  
18  
ERASE  
ERAL  
EWDS  
EWEN  
READ  
WRITE  
WRAL  
1
0
1
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z  
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0  
D7 - D0  
D7 - D0  
D7 - D0  
(RDY/BSY)  
(RDY/BSY)  
0
1
X
X
X
X
X
DS21749D-page 4  
2003 Microchip Technology Inc.  

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