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933972280115

更新时间： 2024-09-24 20:05:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 68K
描述
TRANSISTOR 1.8 A, 100 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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933972280115 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.91雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：1.8 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.2 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

933972280115 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product Specification  
PowerMOS transistor  
BUK482-100A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mount applications.  
The device is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
100  
1.8  
V
A
W
˚C  
Ω
Ptot  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
1.8  
150  
0.28  
RDS(ON)  
resistance;  
VGS = 10 V  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
2
3
1
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
100  
100  
30  
1.8  
1.1  
7.2  
1.8  
150  
150  
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
-
-
V
Tamb = 25 ˚C  
Tamb = 100 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
-
-
A
ID  
-
A
IDM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
-
- 55  
-
W
˚C  
˚C  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-b  
Rth j-amb  
From junction to board1  
From junction to ambient  
Mounted on any PCB  
Mounted on PCB of Fig.17  
-
-
40  
-
-
70  
K/W  
K/W  
1 Temperature measured 1-3 mm from tab.  
January 1998  
1
Rev 1.100  
12345678

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