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8X350/BWA

更新时间: 2024-01-08 18:15:38
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国巨 - YAGEO 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 190K
描述
Standard SRAM, 256X8, TTL, CDIP22

8X350/BWA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92JESD-30 代码:R-XDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256X8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP22,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL

8X350/BWA 数据手册

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