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88HFR80M

更新时间: 2024-02-08 01:49:00
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
STANDARD RECOVERY DIODES

88HFR80M 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:ROHS COMPLIANT, DO-5, 1 PIN针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.59
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:1800 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:180 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:85 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

88HFR80M 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
88HFR80PBF VISHAY

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DIODE 85 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB, DO-5, 1 PIN, Rectifier Diode
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