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85FDR

更新时间： 2022-02-26 10:19:12
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Fast Recovery Diodes

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RoHS  
85FD(R)Series RoHS  
SEMICONDUCTOR  
Nell High Power Products  
FORWARD CONDUCTION  
85FD(R)  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
85  
A
Maximum average forward current  
at maximum case temperature  
IF(AV)  
180° conduction, half sine wave  
ºC  
A
85  
IF(RMS)  
IFRM  
Maximum RMS forward current  
133  
Maximum peak repetitive forward current  
470  
Sinusoidal half wave, 30° conduction  
t = 10ms  
A
1100  
Sinusoidal half wave, 100% VRRM  
Maximum peak, one-cycle  
non-reptitive surge current  
reapplied, initial TJ =TJ maximum  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
1151  
1308  
IFSM  
A
Sinusoidal half wave, no voltage  
reapplied, initial TJ =TJ maximum  
1369  
6050  
5498  
8554  
7778  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
100% VRRM reapplied,  
initial TJ =TJ maximum  
A2s  
I2t  
Maximum l²t for fusing  
no voltage reapplied,  
initial TJ =TJ maximum  
t = 8.3ms  
Maximum l²√t for fusing(1)  
I2√t  
A2√s  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
85543  
Maximum value of threshold voltage  
V
1.128  
2.11  
1.75  
V
mΩ  
V
F(TO)  
TJ = 125°C  
r
Maximum value of forward slope resistance  
Maximum forward voltage drop  
F
VFM  
TJ = 25°C; lFM = 265A  
Note : (1) l2t for time tx =I2√t √tx  
SWITCHING  
85FD(R)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNIT  
08 to 12  
02 to 06  
TJ = 25°C, IF = 0.5A, IR = 1.0A,  
IRR = 250mA (RG#1 CKT)  
500  
200  
TJ = 25°C, IF = 1A to VR = 30V,  
-dlF/dt = 100 A/µs  
Typical reverse recovery time  
trr  
120  
ns  
50  
TJ = 25°C, -dlF/dt = 25 A/µs,  
lFM = π x rated lF(AV)  
500  
340  
200  
70  
TJ = 25°C, IF = 1A to VR = 30V,  
-dlF/dt = 100 A/µs  
Typical reverse recovered charge  
nC  
Qrr  
TJ = 25°C, -dlF/dt = 25 A/µs,  
lFM = π x rated lF(AV)  
1300  
240  
Page 2 of 6  
www.nellsemi.com  
123456

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