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8421004AGI-01T

更新时间： 2024-01-30 16:45:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数 文件大小 规格书
16页 796K
描述
Clock Generator, 170MHz, PDSO24, 4.40 X 7.80 MM, 0.92 MM HEIGHT, MO-153, TSSOP-24

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8421004AGI-01T 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP, TSSOP24,.25针数：24
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
长度：7.8 mm湿度敏感等级：1
端子数量：24最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出时钟频率：170 MHz
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP24,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：2.5/3.3 V主时钟/晶体标称频率：27.2 MHz
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
子类别：Clock Generators最大压摆率：113 mA
最大供电电压：2.625 V最小供电电压：2.375 V
标称供电电压：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：4.4 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：CLOCK GENERATOR, OTHERBase Number Matches：1

8421004AGI-01T 数据手册

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ICS8421004I-01 Data Sheet  
FEMTOCLOCK™ CRYSTAL-TO-HSTL FREQUENCY SYNTHESIZER  
Table 3C. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, TA = -40°C to 85°C  
Symbol Parameter  
Test Conditions  
DD = 3.3V  
VDD = 2.5V  
Minimum  
Typical  
Maximum  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
0.8  
Units  
V
2
V
V
V
V
VIH  
VIL  
Input High Voltage  
1.7  
-0.3  
-0.3  
V
DD = 3.3V  
DD = 2.5V  
Input Low Voltage  
V
0.7  
Input  
High Current  
REF_CLK, MR, F_SEL[0:1],  
nPLL_SEL, nXTAL_SEL  
VDD = VIN = 3.465V or  
2.625V  
IIH  
IIL  
150  
µA  
µA  
Input  
Low Current  
REF_CLK, MR, F_SEL[0:1],  
nPLL_SEL, nXTAL_SEL  
VDD = 3.465V or 2.625V,  
VIN = 0V  
-5  
Table 3D. HSTL DC Characteristics, VDD = 3.3V 5% or 2.5V 5%, VDDO = 1.8V 0.2V, TA = -40°C to 85°C  
Symbol  
VOH  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
0.95  
0
Typical  
Maximum  
1.5  
Units  
Output High Voltage; NOTE 1  
Output Low Voltage; NOTE 1  
Output Crossover Voltage; NOTE 2  
Peak-to-Peak Output Voltage Swing  
V
V
V
V
VOL  
0.4  
VOX  
0.40  
0.6  
0.60  
VSWING  
1.4  
NOTE 1: Outputs termination with 50Ω to ground.  
NOTE 2: Defined with respect to output voltage swing at a given condition.  
Table 4. Crystal Characteristics  
Parameter  
Test Conditions  
Minimum  
Typical  
Fundamental  
25  
Maximum  
Units  
Mode of Oscillation  
Frequency  
22.4  
27.2  
50  
7
MHz  
Ω
Equivalent Series Resistance (ESR)  
Shunt Capacitance  
Drive Level  
pF  
1
mW  
NOTE: Characterized using an 18pF parallel resonant crystal.  
ICS8421004AGI-01 REVISION B NOVEMBER 20, 2009  
4
©2009 Integrated Device Technology, Inc.  
1234567...16

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