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841S01CG

更新时间： 2024-02-07 21:48:42

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟光电二极管外围集成电路晶体
页数	文件大小	规格书
17页	898K
描述
Processor Specific Clock Generator, 100MHz, CMOS, PDSO16, 4.40 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-153, TSSOP-16

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841S01CG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	TSSOP, TSSOP16,.25	针数：	16
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.23
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
长度：	5 mm	端子数量：	16
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
最大输出时钟频率：	100 MHz	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP16,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
主时钟/晶体标称频率：	25 MHz	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	子类别：	Clock Generators
最大压摆率：	80 mA	最大供电电压：	3.465 V
最小供电电压：	3.135 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	4.4 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, PROCESSOR SPECIFIC
Base Number Matches：	1

841S01CG 数据手册

ICS841S01 Data Sheet

PCI EXPRESS^TMCLOCK GENERATOR

AC Electrical Characteristics

Table 6. AC Characteristics, V_DD= 3.3V 5%, T_A= 0°C to 70°C

Symbol

Parameter

Test Conditions

Minimum

Typical

Maximum

Units

MHz

kHz

f_ref

Frequency

SCLK Frequency

400

SCLK

XTAL

ppm

Frequency Tolerance;

NOTE 1

External

Reference

ppm

odc

SRCT/SRCC Output Duty Cycle; NOTE 2, 3

Average Period; NOTE 4

10.0533

t_PERIOD

tjit(cc)

tjit(per)

t_R/ t_F

t_RFM

9.9970

SRCT/C Cycle-to-Cycle Jitter; NOTE 2, 3

Period Jitter, RMS; NOTE 2, 3, 5

SRCT/SRCC Rise/Fall Time; NOTE 6

Rise/Fall Time Matching; NOTE 7

XTAL_IN Duty Cycle; NOTE 8

Rise/Fall Time Variation

2.42

150

700

t_DC

47.5

52.5

145

875

∆t_R/ t_F

V_HIGH

V_LOW

V_OX

Voltage High

520

-150

250

Voltage Low

Output Crossover Voltage

Maximum Overshoot Voltage

Minimum Undershoot Voltage

Ring Back Voltage

@ 0.7V Swing

550

V_OVS

V_UDS

V_RB

V_HIGH+ 0.3

-0.3

0.2

NOTE: Electrical parameters are guaranteed over the specified ambient operating temperature range, which is established when the device is

mounted in a test socket with maintained transverse airflow greater than 500 lfpm. The device will meet specifications after thermal equilibrium

has been reached under these conditions.

NOTE 1: With recommended crystal.

NOTE 2: Measured at crossing point V_OX

NOTE 3: Measured using a 50Ω to GND termination.

NOTE 4: Measured at crossing point V_OXat 100MHz.

NOTE 5: If using the RMS period jitter to calculate peak-to-peak jitter, then use the typical RMS period jitter specification times the RMS

multiplier. For example, for a bit error rate of 10E-12, the peak-to-peak jitter would be 2.42ps x 14 = 33.88ps.

NOTE 6: Measured from V_OL= 0.175V to V_OH= 0.525V.

NOTE 7: Determined as a fraction of 2*(t_R– t_F) / (t_R+ t_F).

NOTE 8: The device will operate reliably with input duty cycles up to 30/70% but the REF clock duty cycle will not be within specification.

ICS841S01CG REVISION B AUGUST 31, 2012

1...4 5 678 9 10...17

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与841S01CG相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
841S01CGT	IDT	Processor Specific Clock Generator, 100MHz, CMOS, PDSO16, 4.40 X 5 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO	获取价格
841S02BGI	IDT	Clock Generator	获取价格
841S02BGILF	IDT	Processor Specific Clock Generator, 100MHz, PDSO20, 6.50 X 4.40 MM, 0.92 MM HEIGHT, ROHS C	获取价格
841S02BGILFT	IDT	Processor Specific Clock Generator, 100MHz, PDSO20, 6.50 X 4.40 MM, 0.92 MM HEIGHT, ROHS C	获取价格
841S02BGIT	IDT	Clock Generator	获取价格
841S02CGIT	IDT	Processor Specific Clock Generator, 100MHz, CMOS, PDSO20, 6.50 X 4.40 MM, 0.925 MM HEIGHT,	获取价格

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