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841S012BKIT

更新时间： 2024-02-22 08:56:44

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艾迪悌 - IDT		时钟外围集成电路晶体
页数	文件大小	规格书
21页	298K
描述
Clock Generator, 250MHz, 8 X 8 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-56

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841S012BKIT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFN
包装说明：	VQCCN,	针数：	56
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.52
JESD-30 代码：	S-XQCC-N56	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	端子数量：	56
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出时钟频率：	250 MHz	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	VQCCN	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
主时钟/晶体标称频率：	25 MHz	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压：	3.465 V
最小供电电压：	3.135 V	标称供电电压：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	uPs/uCs/外围集成电路类型：	CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches：	1

841S012BKIT 数据手册

ICS841S012I

CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER

PRELIMINARY

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Supply Voltage, V

4.6V

NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute

Maximum Ratings may cause permanent damage to the

device.These ratings are stress specifications only. Functional op-

eration of product at these conditions or any conditions beyond

those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not

implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for ex-

tended periods may affect product reliability.

Inputs, V

-0.5V to V_DD+ 0.5 V

-0.5V to V_DDO+ 0.5V

Outputs, V_O

Package Thermal Impedance, θ_JA31.4°C/W (0 mps)

Storage Temperature, T -65°C to 150°C

STG

TABLE 4A. POWER SUPPLY DC CHARACTERISTICS, V_DD= V_DDOB= V_DDOC= 3.3V 5ꢀ, TA = -40°C TO 85°C

Symbol

V_DD

Parameter

Test Conditions

Minimum Typical Maximum Units

Core Supply Voltage

Analog Supply Voltage

3.135

V_DD– 0.20

3.135

3.3

3.465

V_DD

V_DDA

V_DDOB,V_DDOCOutput Supply Voltage

3.465

I_DD

Poꢁer Supply Current

Analog Supply Current

250

I_DDA

TABLE 4B. LVCMOS/LVTTL DC CHARACTERISTICS, V_DD= V_DDOB= V_DDOC= 3.3V 5ꢀ, TA = -40°C TO 85°C

Symbol Parameter Test Conditions Minimum Typical Maximum Units

V_IH

V_IL

Input High Voltage

Input Loꢁ Voltage

QA_OE, QBC_OE,

V_DD+ 0.3

0.8

-0.3

_DD= V_IN= 3.465V

µA

nMR, SSC0, SSC1,

F_SELA[0:1],

F_SELB[0:2].

F_SELC[0:2],

Input

High Current

I_IH

V_DD= V_IN= 3.465V

150

µA

REF_OE, BYPASS,

REF_IN, REF_SEL

QA_OE, QBC_OE,

nMR, SSC0, SSC1,

_DD= 3.465V, V_IN= 0V

-150

µA

F_SELA[0:1],

F_SELB[0:2].

F_SELC[0:2],

Input

Loꢁ Current

I_IL

V_DD= 3.465V, V_IN= 0V

-5

REF_OE, BYPASS,

REF_IN, REF_SEL

V_OH

V_OL

Output High Voltage; NOTE 1

Output Loꢁ Voltage; NOTE 1

V_DDOB,V_DDOC= 3.3V 5ꢀ

2.6

0.5

NOTE 1: Outputs terminated ꢁith 50Ω to V_{DDOB, C}/2. See Parameter Measurement Information,

Output Load Test Circuit diagram.

IDT^™/ ICS^™0.7V HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER

ICS841S012BKI REV. A MAY 1, 2008

1...3 4 567 8 9...21

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