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83500000205

更新时间： 2024-01-18 18:37:12
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力特 - LITTELFUSE /
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描述
保险丝座帽系列: 820-20 824-20

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NGB8202AN  
UNCLAMPED COLLECTOR−TO−EMITTER AVALANCHE CHARACTERISTICS (−55° ≤ T ≤ 175°C)  
J
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Single Pulse Collector−to−Emitter Avalanche Energy  
E
AS  
mJ  
V
CC  
V
CC  
V
CC  
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 16.7 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 25°C  
250  
200  
180  
GE  
L
G
J
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 14.9 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 150°C  
GE  
L
G
J
= 50 V, V = 5.0 V, Pk I = 14.1 A, R = 1000 W, L = 1.8 mH, Starting T = 175°C  
GE  
L
G
J
Reverse Avalanche Energy  
= 100 V, V = 20 V, Pk I = 25.8 A, L = 6.0 mH, Starting T = 25°C  
E
AS(R)  
mJ  
V
CC  
2000  
GE  
L
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
R
1.0  
62.5  
275  
°C/W  
°C/W  
°C  
q
q
JC  
JA  
L
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1)  
R
Maximum Temperature for Soldering Purposes, 1/8″ from case for 5 seconds (Note 2)  
T
1. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended pad size.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector−Emitter Clamp Voltage  
Symbol  
Test Conditions  
Temperature  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
BV  
I
= 2.0 mA  
= 10 mA  
= 0 V,  
T = −40°C to 175°C  
370  
390  
395  
415  
0.1  
420  
440  
1.0  
V
CES  
C
J
I
T = −40°C to 175°C  
C
J
Zero Gate Voltage Collector Current  
I
V
T = 25°C  
J
mA  
mA  
CES  
GE  
V
CE  
= 15 V  
T = 25°C  
J
0.5  
1.0  
0.4  
30  
1.5  
25  
0.8  
35  
39  
33  
10  
100*  
5.0  
39  
V
V
= 200 V,  
CE  
T = 175°C  
J
= 0 V  
GE  
T = −40°C  
J
Reverse Collector−Emitter Clamp  
Voltage  
B
T = 25°C  
J
V
VCES(R)  
T = 175°C  
J
35  
45*  
37  
I
C
= −75 mA  
T = −40°C  
J
30  
Reverse Collector−Emitter Leakage  
Current  
I
T = 25°C  
mA  
CES(R)  
J
0.05  
1.0  
0.2  
8.5  
1.0  
25  
V
CE  
= −24 V  
T = 175°C  
J
T = −40°C  
J
0.005 0.025  
0.2  
Gate−Emitter Clamp Voltage  
Gate−Emitter Leakage Current  
Gate Resistor  
BV  
I
= "5.0 mA  
= "5.0 V  
T = −40°C to 175°C  
12  
12.5  
300  
70  
14  
V
mA  
W
GES  
G
J
I
V
T = −40°C to 175°C  
J
200  
350*  
GES  
GE  
R
T = −40°C to 175°C  
J
G
Gate−Emitter Resistor  
R
T = −40°C to 175°C 14.25  
J
16  
25  
kW  
GE  
ON CHARACTERISTICS (Note 3)  
Gate Threshold Voltage  
V
GE(th)  
T = 25°C  
1.5  
0.7  
1.7  
4.0  
1.8  
1.0  
2.0  
4.6  
2.1  
1.3  
V
J
I
= 1.0 mA,  
C
V
T = 175°C  
J
= V  
GE  
CE  
T = −40°C  
J
2.3*  
5.2  
Threshold Temperature Coefficient  
(Negative)  
mV/°C  
*Maximum Value of Characteristic across Temperature Range.  
3. Pulse Test: Pulse Width v 300 mS, Duty Cycle v 2%.  
Specifications subject to change without notice. © 2016 Littelfuse, Inc.  
2
Publication Order Number:  
December, 2016 − Rev. 10  
NGB8202AN/D  
 
12345678

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