82PFR80

更新时间： 2024-01-02 04:21:21

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威世 - VISHAY		整流二极管
页数	文件大小	规格书
6页	130K
描述
Standard Recovery Diodes, Generation 2 DO-5 (Stud Version), 80 A

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82PFR80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-5
包装说明：	O-MUPM-H1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.72
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-203AB
JESD-30 代码：	O-MUPM-H1	最大非重复峰值正向电流：	1570 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	180 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	80 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

82PFR80 数据手册

80PF(R)...(W) Series

Standard Recovery Diodes,

Generation 2 DO-5 (Stud Version), 80 A

Vishay High Power Products

FORWARD CONDUCTION

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

°C

Maximum average forward current

at case temperature

I_F(AV)

180° conduction, half sine wave

140

Maximum RMS forward current

I_F(RMS)

126

t = 10 ms

t = 8.3 ms

t = 10 ms

t = 8.3 ms

t = 10 ms

t = 8.3 ms

t = 10 ms

t = 8.3 ms

1500

1570

1260

1320

11 250

10 230

7950

7200

112 500

0.73

No voltage

reapplied

Maximum peak, one-cycle forward,

non-repetitive surge current

I_FSM

100 % V_RRM

reapplied

Sinusoidal half wave,

initial T_J= 150 °C

No voltage

reapplied

Maximum I²t for fusing

I²t

A²s

100 % V_RRM

reapplied

Maximum I²√t for fusing

I²√t

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

A²√s

Low level value of threshold voltage

V_F(TO)

(16.7 % x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

Low level value of forward

slope resistance

r_f

(16.7 % x π x I_F(AV)< I < π x I_F(AV)), T_J= T_Jmaximum

3.0

mΩ

Maximum forward voltage drop

V_FM

I_pk= 220 A, T_J= 25 °C, t_p= 400 µs rectangular wave

1.40

THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum junction operating and

storage temperature range

T_J, T_Stg

- 55 to 180

°C

Maximum thermal resistance,

junction to case

R_thJC

DC operation

0.30

0.25

K/W

Maximum thermal resistance,

case to heatsink

R_thCS

Mounting surface, smooth, flat and greased

Tighting on nut ⁽¹⁾

Not lubricated threads

3.4 ^{+ 0 - 10 %}

(30)

N · m

(lbf · in)

Allowable mounting torque

Tighting on hexagon ⁽²⁾

Lubricated threads

2.3 ^{+ 0 - 10 %}

(20)

15.8

0.56

Approximate weight

Case style

oz.

See dimensions - link at the end of datasheet

DO-203AB (DO-5)

Notes

(1)

As general recommendation we suggest to tight on Hexagon and not on nut

Torque must be applicable only to Hexagon and not to plastic structure

(2)

www.vishay.com

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

Document Number: 93526

Revision: 01-Oct-08

123 4 5 6

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与82PFR80相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
82PFR80PBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, PLASTIC, DO-5, 1	获取价格
82PFR80W	VISHAY	Standard Recovery Diodes, Generation 2 DO-5 (Stud Version), 80 A	获取价格
82PFR80W	INFINEON	STANDARD RECOVERY DIODES	获取价格
82PFR80WPBF	INFINEON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, PLASTIC, DO-5, 1	获取价格
82PFR82	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, PLASTIC, DO-5, 1	获取价格
82PFR82W	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 80A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AB, PLASTIC, DO-5, 1	获取价格

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