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80C52-16

更新时间： 2024-02-17 13:50:54
品牌 Logo 应用领域
TEMIC /
页数 文件大小 规格书
20页 221K
描述
CMOS 0 to 44 MHz Single Chip 8?bit Microntroller

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80C52-16 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DIP, DIP40,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83Is Samacsys：N
位大小：8CPU系列：8051
JESD-30 代码：R-XDIP-T40JESD-609代码：e0
端子数量：40最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC
封装代码：DIP封装等效代码：DIP40,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
RAM（字节）：256ROM（单词）：8192
ROM可编程性：MROM筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
速度：16 MHz子类别：Microcontrollers
最大压摆率：39 mA标称供电电压：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

80C52-16 数据手册

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80C32/80C52  
Electrical Characteristics  
* Notice  
Absolute Maximum Ratings*  
Stresses at or above those listed under “ Absolute Maximum Ratings”  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only  
and functional operation of the device at these or any other conditions  
above those indicated in the operational sections of this specification is  
not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions may affect  
device reliability.  
Ambiant Temperature Under Bias :  
C = commercial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to 70°C  
I = industrial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to 85°C  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to + 150°C  
Voltage on VCC to VSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V to + 7 V  
Voltage on Any Pin to VSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.5 V to V + 0.5 V  
CC  
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 W  
* This value is based on the maximum allowable die temperature and  
the thermal resistance of the package  
DC Parameters  
TA = 0°C to 70°C ; VSS = 0 V ; VCC = 5 V ± 10 % ; F = 0 to 44 MHz  
TA = –40°C + 85°C ; VSS = 0 V ; VCC = 5 V ± 10 % ; F = 0 to 36 MHz  
SYMBOL  
VIL  
PARAMETER  
MIN  
– 0.5  
MAX  
0.2 Vcc – 0.1  
Vcc + 0.5  
Vcc + 0.5  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
Input Low Voltage  
V
V
V
VIH  
Input High Voltage (Except XTAL and RST)  
Input High Voltage (for XTAL and RST)  
Output Low Voltage (Port 1, 2 and 3)  
0.2 Vcc + 1.4  
0.7 Vcc  
VIH1  
VOL  
0.3  
0.45  
1.0  
V
V
V
IOL = 100 µA  
IOL = 1.6 mA (note 2)  
IOL = 3.5 mA  
VOL1  
VOH  
Output Low Voltage (Port 0, ALE, PSEN)  
Output High Voltage Port 1, 2, 3  
0.3  
0.45  
1.0  
V
V
V
IOL = 200 µA  
IOL = 3.2 mA (note 2)  
IOL = 7.0 mA  
Vcc – 0.3  
Vcc – 0.7  
Vcc – 1.5  
V
V
V
IOH = – 10 µA  
IOH = – 30 µA  
IOH = – 60 µA  
VCC = 5 V ± 10 %  
VOH1  
Output High Voltage (Port 0, ALE, PSEN)  
Vcc – 0.3  
Vcc – 0.7  
Vcc – 1.5  
V
V
V
IOH = – 200 µA  
IOH = – 3.2 mA  
IOH = – 7.0 mA  
VCC = 5 V ± 10 %  
IIL  
ILI  
Logical 0 Input Current (Ports 1, 2 and 3)  
Input leakage Current  
– 50  
± 10  
– 650  
50  
µA  
µA  
Vin = 0.45 V  
0.45 < Vin < Vcc  
Vin = 2.0 V  
ITL  
Logical 1 to 0 Transition Current (Ports 1, 2 and 3)  
Power Down Current  
µA  
IPD  
RRST  
CIO  
ICC  
µA  
Vcc = 2.0 V to 5.5 V (note 1)  
RST Pulldown Resistor  
50  
200  
10  
KOhm  
pF  
Capacitance of I/O Buffer  
fc = 1 MHz, Ta = 25_C  
Vcc = 5.5 V  
Power Supply Current  
Freq = 1 MHz Icc op  
Icc idle  
Freq = 6 MHz Icc op  
Icc idle  
1.8  
1
10  
4
mA  
mA  
mA  
mA  
Freq ≥ 12 MHz Icc op = 1.25 Freq (MHz) + 5 mA  
Icc idle = 0.36 Freq (MHz) + 2.7 mA  
10  
MATRA MHS  
Rev. G (14 Jan. 97)  
1...78910111213...20

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