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7MBR10XKA120-50

更新时间： 2024-03-03 10:11:16

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富士电机 - FUJI		/
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12页	2443K
描述
PIM(conv.+Brake+inv.) M730

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7MBR10XKA120-50 数据手册

7MBR10XKA120-50

IGBT Modules

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

T _vj= 25°C / chip

T _vj= 175°C / chip

V_GE= 20V

15V

12V

10V

12V

10V

Collector-Emitter voltage: V _CE[V]

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)

V _GE=15V / chip

T _vj= 25°C / chip

T_vj= 175°C

T_vj= 25°C

T_vj= 150°C

T_vj= 125°C

I_C= 20A

I_C= 10A

I_C= 5A

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

Collector-Emitter voltage: V _CE[V]

Gate-Emitter voltage: V _GE[V]

[ Brake ]

Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Dynamic gate charge (typ.)

V _GE=0V, f = 1MHz, T _vj= 25°C

V _CC= 600V, I _C= 10A,

T _vj= 25°C

800

V_CE

600

400

200

V_GE

C_ies

0.1

C_oes

-200

-400

-600

-800

-5

-10

-15

-20

0.01

C_res

0.001

-40

-20

Collector-Emitter voltage: V _CE[V]

Gate charge: Q _G[nC]

FM6M01852d

2023/2

1...7 8 91011 12

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