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7MBR15NE-120

更新时间： 2024-02-04 02:41:46
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其他 - ETC 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 528K
描述
7 PIM IGBT

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7MBR15NE-120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
针数：21Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：1200 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X21元件数量：7
端子数量：21封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

7MBR15NE-120 数据手册

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IGBT Modules  
7MBR15NE120  
IGBT MODULE  
1200V / 15A / PIM  
Features  
· High Speed Switching  
· Voltage Drive  
· Low Inductance Module Structure  
· Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit  
Applications  
· Inverter for Motoe Drive  
· AC and DC Servo Drive Amplifier  
· Uninterruptible Power Supply  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Condition  
Ra ting  
1200  
±20  
Unit  
V
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
Continuous  
1ms  
A
15  
Collector current  
ICP  
A
30  
-IC  
A
15  
1 device  
Collector power disspation  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
PC  
W
V
120  
VCES  
VGES  
IC  
1200  
±20  
V
Continuous  
1ms  
A
10  
ICP  
A
20  
1 device  
Collector power disspation  
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
PC  
W
V
88  
VRRM  
IF(AV)  
IFSM  
VRRM  
VRSM  
IO  
1200  
1
A
10ms  
Surge current  
A
50  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-Repetitive peak reverse voltage  
Average output current  
V
1600  
1700  
25  
V
50Hz/60Hz sine wave  
Tj=150°C, 10ms  
A
Surge current (Non-Repetitive)  
IFSM  
A
320  
Tj=150°C, 10ms  
I²t  
(Non-Repetitive)  
A²s  
°C  
°C  
V
512  
Tj  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
+150  
-40 to +125  
AC 2500  
1.7 *1  
Tstg  
Viso  
AC : 1 minute  
Isolation voltage  
N·m  
Mounting screw torque  
*1 Recommendable value : 1.3 to 1.7 N·m (M4)  
12345678

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