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7MBP50VDA120-50

更新时间： 2024-01-21 03:05:53
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 703K
描述
IGBT MODULE (V series) 1200V / 50A / IPM

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7MBP50VDA120-50 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.57
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERBase Number Matches：1

7MBP50VDA120-50 数据手册

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7MBP50VDA120-50  
IGBT Modules  
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
Inverter  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
T
j
=25℃[Chip] (typ.)  
T
j
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80  
70  
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40  
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0
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70  
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VCC=15V  
VCC=15V  
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VCC=13V  
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3.5  
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0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
3.5  
3.5  
Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]  
Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
=125℃[Chip] (typ.)  
Collector current vs. Collector-Emitter voltage  
T
j
T
j
=125℃[Terminal] (typ.)  
80  
70  
60  
50  
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0
80  
70  
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VCC =15V  
V
CC=15V  
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VCC =17V  
VCC =13V  
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3
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1
1.5  
2
2.5  
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Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]  
Collector-Emitter voltage ： VCE [ V ]  
Forward current vs. Forward voltage  
[Chip] (typ.)  
Forward current vs. Forward voltage  
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T
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3
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1
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2
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3
Forward voltage ： V  
F
[ V ]  
Forward voltage ： V  
F
5
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