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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> 7LVT2241PWDH
7LVT2241PWDH PDF预览

7LVT2241PWDH

更新时间： 2024-01-28 13:27:14
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 总线驱动器总线收发器逻辑集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
5页 84K
描述
3.3V Octal buffer/line driver with 30ohm series termination resistors; 3-State

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7LVT2241PWDH 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TSSOP
包装说明：TSSOP,针数：20
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
系列：LVTJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e4长度：6.5 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER位数：4
功能数量：2端口数量：2
端子数量：20最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE WITH SERIES RESISTOR
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）：5 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

7LVT2241PWDH 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
3.3V Octal buffer/line driver with 30W series  
termination resistors; 3-State  
74LVT2241  
LOGIC SYMBOL (IEEE/IEC)  
LOGIC SYMBOL  
1A0  
1Y0  
2
18  
1
1A1  
1A2  
1Y1  
1Y2  
1Y3  
EN  
4
6
16  
14  
12  
2
18  
4
6
16  
14  
1A3  
8
1
1OE  
8
12  
2A0  
2A1  
2Y0  
2Y1  
17  
3
5
7
9
19  
15  
13  
EN  
2A2  
2Y2  
2Y3  
17  
3
2A3  
15  
13  
5
7
11  
19  
2OE  
11  
9
SA00039  
SA00040  
FUNCTION TABLE  
SCHEMATIC OF EACH OUTPUT  
INPUTS  
OUTPUTS  
V
CC  
1OE  
L
1An  
2OE  
H
2An  
1Yn  
L
2Yn  
L
V
CC  
L
H
X
L
H
X
L
H
H
H
H
L
Z
Z
22Ω  
20Ω  
H = High voltage level  
OUTPUT  
L
X
Z
= Low voltage level  
= Don’t care  
= High impedance “off” state  
SW00202  
1, 2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
RATING  
–0.5 to +4.6  
–0.5 to +7.0  
–0.5 to +7.0  
128  
UNIT  
V
CC  
DC supply voltage  
V
V
V
3
V
I
DC input voltage  
3
V
OUT  
DC output voltage  
Output in Off or High state  
Output in Low state  
I
DC output current  
mA  
OUT  
Output in High state  
–64  
I
DC input diode current  
DC output diode current  
Storage temperature range  
V < 0  
–50  
mA  
mA  
°C  
IK  
I
I
V
O
< 0  
–50  
OK  
T
stg  
–65 to 150  
NOTES:  
1. Stresses beyond those listed may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the  
device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not implied. Exposure to  
absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
2. The performance capability of a high-performance integrated circuit in conjunction with its thermal environment can create junction  
temperatures which are detrimental to reliability. The maximum junction temperature of this integrated circuit should not exceed 150°C.  
3. The input and output negative voltage ratings may be exceeded if the input and output clamp current ratings are observed.  
2
1996 May 29  
12345

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