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74LVCE1G00SE-7

更新时间： 2024-02-11 17:46:34

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14页	266K
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SINGLE 2 INPUT POSITIVE NAND GATE

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74LVCE1G00SE-7 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	17 weeks
风险等级：	2.32	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.024 A
湿度敏感等级：	1	端子数量：	5
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP5/6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	3.8 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
子类别：	Gates	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

74LVCE1G00SE-7 数据手册

74LVCE1G00

SINGLE 2 INPUT POSITIVE NAND GATE

Absolute Maximum Ratings (Note 3)

Symbol

Description

Rating

Unit

ESD HBM

Human Body Model ESD Protection

Machine Model ESD Protection

Supply Voltage Range

ESD MM

200

V_CC

V_I

-0.5 to 6.5

-0.3 to V_CC+0.5

-50

Input Voltage Range

V_o

I_IK

Voltage applied to output in high impedance or I_OFFstate

Voltage applied to output in high or low state

Input Clamp Current V_I<0

°C

I_OK

I_O

Output Clamp Current

-50

Continuous output current

±50

Continuous current through Vdd or GND

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

±100

T_J

-40 to 150

-65 to 150

T_STG

Note: 3. Stresses beyond the absolute maximum may result in immediate failure or reduced reliability. These are stress values and device

operation should be within recommend values.

3 of 14

www.diodes.com

December 2010

74LVCE1G00

Document number: DS32210 Rev. 2 - 2

1 234 5 6 7...14

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