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74HCT1G00GW

更新时间： 2024-02-16 21:22:57

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
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2-input NAND gateProduction

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74HCT1G00GW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, SC-88A, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.06	Is Samacsys：	N
系列：	HCT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.002 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP5/6,.08
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	27 ns
传播延迟（tpd）：	27 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.1 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74HCT1G00GW 数据手册

Nexperia

74HC1G00; 74HCT1G00

2-input NAND gate

11. Dynamic characteristics

Table 8. Dynamic characteristics

GND = 0 V; t_r= t_f≤ 6.0 ns; All typical values are measured at T_amb= 25 °C. For test circuit, see Fig. 6

Symbol Parameter

Conditions

-40 °C to +85 °C

-40 °C to +125 °C Unit

Min

Typ

Max

Min

Max

74HC1G00

t_pd

propagation delay A and B to Y; see Fig. 5

V_CC= 2.0 V; C_L= 50 pF

[1]

115

135

V_CC= 4.5 V; C_L= 50 pF

V_CC= 5.0 V; C_L= 15 pF

V_CC= 6.0 V; C_L= 50 pF

C_PD

power dissipation V_I= GND to V_CC

capacitance

[2]

[1]

74HCT1G00

t_pd

propagation delay A and B to Y; see Fig. 5

V_CC= 4.5 V; C_L= 50 pF

V_CC= 5.0 V; C_L= 15 pF

C_PD

power dissipation V_I= GND to V_CC- 1.5 V

capacitance

[2]

[1] t_pdis the same as t_PLHand t_PHL

[2] C_PDis used to determine the dynamic power dissipation P_D(μW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ Σ(C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz; f_o= output frequency in MHz

C_L= output load capacitance in pF

V_CC= supply voltage in V

Σ(C_L× V_CC²× f_o) = sum of outputs

11.1. Waveforms and test circuit

A, B input

Y output

PULSE

GENERATOR

PHL

PLH

DUT

mna101

mna100

Test data is given in Table 8.

For 74HC1G00:

C_L= Load capacitance including jig and probe

capacitance.

V_M= 0.5xV_CC; V_I= GND to V_CC

For 74HCT1G00:

R_T= Termination resistance should be equal to

output impedance Z_oof the pulse generator.

V_M= 1.3 V; V_I= GND to 3.0 V

Fig. 5. Input to output propagation delays

Fig. 6. Test circuit for measuring switching times

74HC_HCT1G00

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Product data sheet

Rev. 6 — 21 January 2022

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
74HCT1G00GW,115	NXP	74HC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSSOP 5-Pin	获取价格
74HCT1G00GW,118	NXP	74HC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSSOP 5-Pin	获取价格
74HCT1G00GW,165	NXP	74HC(T)1G00 - 2-input NAND gate TSSOP 5-Pin	获取价格
74HCT1G00GW/T1	ETC	IC-SM-CMOS LOGIC	获取价格
74HCT1G00GW-G	NXP	IC HCT SERIES, 2-INPUT NAND GATE, PDSO5, PLASTIC, SC-88A, 5 PIN, Gate	获取价格
74HCT1G00GW-Q100	NEXPERIA	2-input NAND gate	获取价格

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