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74HC32DR2G PDF预览

74HC32DR2G

更新时间： 2024-01-16 04:14:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 逻辑集成电路光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
8页 122K
描述
Quad 2−Input OR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS

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74HC32DR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP14,.25针数：14
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.75
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：8.65 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：OR GATE
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
功能数量：4输入次数：2
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP14,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：22 ns
传播延迟（tpd）：110 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.75 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

74HC32DR2G 数据手册

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74HC32  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
This device contains protection  
circuitry to guard against damage  
due to high static voltages or electric  
fields. However, precautions must  
be taken to avoid applications of any  
voltage higher than maximum rated  
voltages to this high−impedance cir-  
V
DC Supply Voltage (Referenced to GND)  
DC Input Voltage (Referenced to GND)  
DC Output Voltage (Referenced to GND)  
DC Input Current, per Pin  
– 0.5 to + 7.0  
CC  
V
– 0.5 to V + 0.5  
V
in  
CC  
V
– 0.5 to V + 0.5  
V
out  
CC  
I
±20  
±25  
±50  
mA  
mA  
mA  
mW  
in  
cuit. For proper operation, V and  
in  
I
I
DC Output Current, per Pin  
out  
V
out  
should be constrained to the  
range GND v (V or V ) v V  
.
DC Supply Current, V and GND Pins  
in  
out  
CC  
CC  
CC  
Unused inputs must always be  
tied to an appropriate logic voltage  
P
Power Dissipation in Still Air,  
SOIC Package†  
TSSOP Package†  
500  
450  
D
level (e.g., either GND or V ).  
CC  
Unused outputs must be left open.  
T
Storage Temperature  
– 65 to + 150  
_C  
_C  
stg  
T
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds  
SOIC or TSSOP Package  
L
260  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress  
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.  
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect  
device reliability.  
†Derating — SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C  
TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C  
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
Symbol  
Parameter  
Min  
2.0  
0
Max  
Unit  
V
V
DC Supply Voltage (Referenced to GND)  
6.0  
CC  
V , V  
in out  
DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to  
GND)  
V
V
CC  
T
Operating Temperature, All Package Types  
– 55  
+ 125  
_C  
ns  
A
t , t  
r
Input Rise and Fall Time  
(Figure 1)  
V
V
V
= 2.0 V  
= 4.5 V  
= 6.0 V  
0
0
0
1000  
500  
400  
f
CC  
CC  
CC  
http://onsemi.com  
3
12345678

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74HC32DR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC74HC32ADR2G ONSEMI

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 Quad 2−Input OR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS
MC74HC32ADG ONSEMI

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 QUAD 2-INPUT OR GATE

与74HC32DR2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
74HC32D-T NXP

获取价格

 		IC HC/UH SERIES, QUAD 2-INPUT OR GATE, PDSO14, SO-14, Gate
74HC32DTR2G ONSEMI

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 		Quad 2−Input OR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS
74HC32N NXP

获取价格

 		Quad 2-input OR gate
74HC32N,652 NXP

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 		74HC32N
74HC32PW NXP

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 		Quad 2-input OR gate
74HC32PW NEXPERIA

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 		Quad 2-input OR gateProduction
74HC32PW,118 NXP

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 		74HC(T)32 - Quad 2-input OR gate TSSOP 14-Pin
74HC32PW-Q100 NEXPERIA

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74HC32PW-Q100,118 NXP

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 		74HC(T)32-Q100 - Quad 2-input OR gate TSSOP 14-Pin
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