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74HC30D

更新时间： 2023-09-03 20:27:17

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安世 - NEXPERIA		PC 光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	228K
描述
8-input NAND gateProduction

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74HC30D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	3.39	系列：	HC/UH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	JESD-609代码：	e4
长度：	8.65 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.004 A
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	8	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP14,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/6 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	39 ns
传播延迟（tpd）：	39 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.75 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

74HC30D 数据手册

Nexperia

74HC30; 74HCT30

8-input NAND gate

Symbol Parameter

74HCT30

Conditions

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

V_IH

HIGH-level

input voltage

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

2.0

1.6

1.2

2.0

V_IL

LOW-level

0.8

input voltage

V_OH

HIGH-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= -20 μA

4.4

4.5

4.4

3.7

I_O= -4.0 mA

3.98 4.32

3.84

V_OL

LOW-level

output voltage

V_I= V_IHor V_IL; V_CC= 4.5 V

I_O= 20 μA

0.1

0.33

±1

0.1

0.4

±1

I_O= 4.0 mA

0.15 0.26

I_I

input leakage V_I= V_CCor GND; V_CC= 5.5 V

current

±0.1

μA

I_CC

ΔI_CC

supply current V_I= V_CCor GND; I_O= 0 A;

V_CC= 5.5 V

2.0

μA

additional

per input pin;

216

275

294

supply current V_I= V_CC- 2.4 V; I_O= 0 A;

other inputs at V_CCor GND;

V_CC= 4.5 V to 5.5 V

C_I

input

3.5

capacitance

10. Dynamic characteristics

Table 7. Dynamic characteristics

GND = 0 V; C_L= 50 pF; for test circuit see Fig. 6.

Symbol Parameter Conditions

74HC30

25 °C

-40 °C to +85 °C -40 °C to +125 °C Unit

Min Typ Max

Min

Max

Min

Max

t_pd

propagation A, B, C, D, E, F, G, H to Y; [1]

delay

see Fig. 5

V_CC= 2.0 V

130

165

195

V_CC= 4.5 V

V_CC= 5.0 V; C_L= 15 pF

V_CC= 6.0 V

t_t

transition

time

see Fig. 5

[2]

[3]

V_CC= 2.0 V

V_CC= 4.5 V

V_CC= 6.0 V

110

C_PD

power

per package;

dissipation

capacitance

V_I= GND to V_CC

74HC_HCT30

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Product data sheet

Rev. 9 — 6 September 2021

6 / 13

1...3 4 567 8 9...13

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74HC30D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CD74HC30M96	TI	功能相似	High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate
CD74HC30M	TI	功能相似	High Speed CMOS Logic 8-Input NAND Gate

与74HC30D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
74HC30D,652	NXP	获取价格	74HC(T)30 - 8-input NAND gate SOIC 14-Pin
74HC30DB	NXP	获取价格	8-input NAND gate
74HC30DB,112	NXP	获取价格	74HC(T)30 - 8-input NAND gate SSOP1 14-Pin
74HC30DB,118	NXP	获取价格	74HC(T)30 - 8-input NAND gate SSOP1 14-Pin
74HC30D-Q100	NXP	获取价格	HC/UH SERIES, 8-INPUT NAND GATE, PDSO14, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012, SOT108-1, SOP-14
74HC30D-Q100	NEXPERIA	获取价格	8-input NAND gate
74HC30D-Q100J	NXP	获取价格	74HC(T)30-Q100 - 8-input NAND gate SOIC 14-Pin
74HC30D-T	ETC	获取价格	Single 8-input NAND Gate
74HC30N	NXP	获取价格	8-input NAND gate
74HC30N,652	NXP	获取价格	74HC30N

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