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74F219SC

更新时间: 2024-01-21 22:22:32
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs

74F219SC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.77
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
长度:10.3 mm内存密度:64 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.65 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

74F219SC 数据手册

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Physical Dimensions inches (millimeters) (Continued)  
16-Lead (0.300 Wide) Molded Small Outline Package, EIAJ (SJ)  
×
NS Package Number M16D  
16-Lead (0.300 Wide) Molded Dual-In-Line Package (P)  
×
NS Package Number N16E  
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