是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP20,.3 |
针数: | 20 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 28 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T20 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.895 mm | 内存密度: | 144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 16 words | 字数代码: | 16 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16X9 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP20,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
74F211QCQR | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PQCC20, PLASTIC, CC-20 | |
74F211SC | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PDSO20, 0.150 INCH, SOIC-20 | |
74F211SCQR | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PDSO20, 0.150 INCH, SOIC-20 | |
74F211SDCQR | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, CDIP20, SLIM, CERAMIC, DIP-20 | |
74F211SPCQR | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PDIP20, SLIM, PLASTIC, DIP-20 | |
74F211VC | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20 | |
74F211VCQR | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, SOIC-20 | |
74F212DC | FAIRCHILD |
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Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | |
74F212DCQR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, CDIP20, CERAMIC, DIP-20 | |
74F212L1C | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 16X9, 28ns, CMOS, CQCC20, CERAMIC, LCC-20 |