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74AUP1G32GW-Q100

更新时间： 2024-01-07 08:27:28
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安世 - NEXPERIA /
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14页 227K
描述
Low-power 2-input OR-gate

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74AUP1G32GW-Q100 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP,
针数：5Reach Compliance Code：compliant
风险等级：8.02Samacsys Description：Low-power 2-input OR-gate@en-us
系列：AUP/ULP/VJESD-30 代码：R-PDSO-G5
长度：2.05 mm逻辑集成电路类型：OR GATE
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH传播延迟（tpd）：23.7 ns
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：0.8 V
标称供电电压 (Vsup)：1.1 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：1.25 mm

74AUP1G32GW-Q100 数据手册

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Nexperia  
74AUP1G32-Q100  
Low-power 2-input OR-gate  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VOH  
HIGH-level output  
VI = VIH or VIL  
voltage  
IO = -20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
VCC - 0.11  
0.6 × VCC  
0.93  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
V
IO = -1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = -1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = -1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = -2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = -2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = -4.0 mA; VCC = 3.0 V  
1.17  
1.77  
1.67  
2.40  
2.30  
VOL  
LOW-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL  
IO = 20 μA; VCC = 0.8 V to 3.6 V  
IO = 1.1 mA; VCC = 1.1 V  
IO = 1.7 mA; VCC = 1.4 V  
IO = 1.9 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 2.3 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 3.1 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 2.7 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 4.0 mA; VCC = 3.0 V  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.11  
0.33 × VCC  
0.41  
V
V
V
0.39  
V
0.36  
V
0.50  
V
0.36  
V
0.50  
V
II  
input leakage current VI = GND to 3.6 V; VCC = 0 V to 3.6 V  
±0.75  
±0.75  
μA  
μA  
IOFF  
power-off leakage  
current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V; VCC = 0 V  
ΔIOFF  
ICC  
additional power-off  
leakage current  
VI or VO = 0 V to 3.6 V;  
VCC = 0 V to 0.2 V  
-
-
-
-
-
-
±0.75  
1.4  
μA  
μA  
μA  
supply current  
VI = GND or VCC; IO = 0 A;  
VCC = 0.8 V to 3.6 V  
ΔICC  
additional supply  
current  
VI = VCC - 0.6 V; IO = 0 A; VCC = 3.3 V [1]  
75  
[1] One input at VCC - 0.6 V, other input at VCC or GND.  
11. Dynamic characteristics  
Table 8. Dynamic characteristics  
Voltages are referenced to GND (ground = 0 V); for test circuit see Fig. 8  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ [1]  
Max  
Unit  
Tamb = 25 °C; CL = 5 pF  
tpd  
propagation delay  
A, B to Y; see Fig. 7  
VCC = 0.8 V  
[2]  
-
16.8  
5.1  
3.6  
3.0  
2.4  
2.1  
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
VCC = 1.1 V to 1.3 V  
VCC = 1.4 V to 1.6 V  
VCC = 1.65 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 3.0 V to 3.6 V  
2.4  
1.6  
1.4  
1.1  
1.0  
10.9  
6.6  
5.2  
3.9  
3.5  
©
74AUP1G32_Q100  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
Nexperia B.V. 2019. All rights reserved  
Product data sheet  
Rev. 3 — 28 January 2019  
6 / 14  
 
 
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