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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> 74ABT823N
74ABT823N PDF预览

74ABT823N

更新时间： 2024-01-29 03:23:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 总线驱动器总线收发器触发器逻辑集成电路光电二极管信息通信管理
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
9-bit D-type flip-flop with reset and enable 3-State

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74ABT823N 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：4.40 MM, PLASTIC, MO-153, SOT355-1, TSSOP-24
针数：24Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.82
Is Samacsys：N其他特性：WITH CLEAR AND CLOCK ENABLE
系列：ABTJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e4长度：7.8 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：BUS DRIVER
最大频率@ Nom-Sup：125000000 Hz最大I（ol）：0.064 A
湿度敏感等级：1位数：9
功能数量：1端口数量：2
端子数量：24最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP24,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V最大电源电流（ICC）：34 mA
传播延迟（tpd）：6.8 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.1 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发器类型：POSITIVE EDGE
宽度：4.4 mmBase Number Matches：1

74ABT823N 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
9-bit D-type flip-flop with reset and enable  
(3-State)  
74ABT823  
1, 2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
PARAMETER  
DC supply voltage  
CONDITIONS  
RATING  
–0.5 to +7.0  
–18  
UNIT  
V
V
CC  
I
IK  
DC input diode current  
V < 0  
I
mA  
V
3
V
I
DC input voltage  
–1.2 to +7.0  
–50  
I
DC output diode current  
V
O
< 0  
mA  
V
OK  
3
V
DC output voltage  
output in Off or High state  
output in Low state  
–0.5 to +5.5  
128  
OUT  
OUT  
I
DC output current  
mA  
°C  
T
stg  
Storage temperature range  
–65 to 150  
NOTES:  
1. Stresses beyond those listed may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only and functional operation of the  
device at these or any other conditions beyond those indicated under “recommended operating conditions” is not implied. Exposure to  
absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.  
2. The performance capability of a high-performance integrated circuit in conjunction with its thermal environment can create junction  
temperatures which are detrimental to reliability. The maximum junction temperature of this integrated circuit should not exceed 150°C.  
3. The input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are observed.  
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS  
SYMBOL  
PARAMETER  
LIMITS  
UNIT  
Min  
4.5  
0
Max  
V
DC supply voltage  
5.5  
V
V
CC  
V
Input voltage  
V
CC  
I
V
High-level input voltage  
Low-level input voltage  
High-level output current  
Low-level output current  
Input transition rise or fall rate  
2.0  
V
IH  
V
0.8  
–32  
64  
V
IL  
I
mA  
mA  
ns/V  
°C  
OH  
I
OL  
∆t/∆v  
0
5
T
amb  
Operating free-air temperature range  
–40  
+85  
3
1995 Sep 06  
1234567

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