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74ABT823DB-T

更新时间： 2024-01-07 15:41:12
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 驱动信息通信管理光电二极管输出元件逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
19页 111K
描述
ABT SERIES, 9-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDSO24, 5.30 MM, PLASTIC, MO-150, SOT340-1, SSOP-24

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74ABT823DB-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SSOP, SSOP24,.3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.73Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G24逻辑集成电路类型：D FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup：125000000 Hz最大I（ol）：0.064 A
功能数量：9端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SSOP封装等效代码：SSOP24,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：5 V
认证状态：Not Qualified子类别：FF/Latches
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：DUAL
触发器类型：POSITIVE EDGEBase Number Matches：1

74ABT823DB-T 数据手册

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74ABT823  
Philips Semiconductors  
9-bit D-type flip-flop with reset and enable; 3-state  
10. Static characteristics  
Table 7:  
Static characteristics  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Tamb = 25 °C  
VIK  
input diode voltage  
VCC = 4.5 V; IIK = −18 mA  
-
−0.9 −1.2  
V
VOH  
HIGH-level output voltage  
VI = VIL or VIH  
VCC = 4.5 V; IOH = −3 mA  
2.5  
2.0  
3.0  
-
2.9  
2.4  
3.4  
-
-
-
V
V
V
V
V
VCC = 4.5 V; IOH = −32 mA  
VCC = 5.0 V; IOH = −3 mA  
VOL  
LOW-level output voltage  
VCC = 4.5 V; IOL = 64 mA; VI = VIL or VIH  
VCC = 5.5 V; IO = 1 mA; VI = GND or VCC  
0.42 0.55  
0.13 0.55  
[1]  
[2]  
VRST  
restart LOW-level output  
voltage  
-
ILI  
input leakage current  
VCC = 5.5 V; VI = GND or 5.5 V  
-
-
-
±0.01 ±1.0 µA  
±5.0 ±100 µA  
IOFF  
power-down leakage current VCC = 0.0 V; VO or VI ≤ 4.5 V  
IPU, IPD power-up or power-down  
down 3-state output current  
VCC = 2.0 V; VO = 0.5 V; VI = GND or VCC  
OE = VCC  
;
±5.0 ±50  
µA  
V
IOZ  
3-state output current  
VCC = 5.5 V; VI = VIL or VIH  
output HIGH-state at VO = 2.7 V  
output LOW-state at VO = 0.5 V  
VCC = 5.5 V; VO = 5.5 V; VI = GND or VCC  
-
-
-
5.0  
−5.0 −50  
5.0 50  
50  
µA  
µA  
µA  
ICEX  
output HIGH-state leakage  
current  
[3]  
IO  
output current  
VCC = 5.5 V; VO = 2.5 V  
VCC = 5.5 V; VI = GND or VCC  
outputs HIGH-state  
−50  
−100 −180 mA  
ICC  
quiescent supply current  
-
-
-
-
0.5  
27  
250  
34  
µA  
outputs LOW-state  
mA  
µA  
outputs 3-state  
0.5  
0.5  
250  
1.5  
[4]  
∆ICC  
additional quiescent supply  
current per input pin  
VCC = 5.5 V; one input at 3.4 V and other  
inputs at VCC or GND  
mA  
CI  
input capacitance  
output capacitance  
VI = 0 V or VCC  
-
-
4
7
-
-
pF  
pF  
CO  
outputs disabled; VO = 0 V or VCC  
Tamb = −40 °C to +85 °C  
VIK  
input diode voltage  
VCC = 4.5 V; IIK = −18 mA  
-
-
−1.2  
V
VOH  
HIGH-level output voltage  
VI = VIL or VIH  
VCC = 4.5 V; IOH = −3 mA  
2.5  
2.0  
3.0  
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
VCC = 4.5 V; IOH = −32 mA  
VCC = 5.0 V; IOH = −3 mA  
-
-
VOL  
LOW-level output voltage  
VCC = 4.5 V; IOL = 64 mA; VI = VIL or VIH  
VCC = 5.5 V; IO = 1 mA; VI = GND or VCC  
0.55  
0.55  
[1]  
[2]  
VRST  
restart LOW-level output  
voltage  
-
ILI  
input leakage current  
VCC = 5.5 V; VI = GND or 5.5 V  
-
-
-
-
-
-
±1.0 µA  
±100 µA  
IOFF  
power-down leakage current VCC = 0.0 V; VO or VI ≤ 4.5 V  
IPU, IPD power-up or power-down  
down 3-state output current  
VCC = 2.0 V; VO = 0.5 V; VI = GND or VCC  
OE = VCC  
;
±50  
µA  
V
9397 750 14551  
© Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 02 — 7 February 2005  
7 of 19  
 
1...45678910...19

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