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74HC02

更新时间： 2024-01-17 18:57:46

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安森美 - ONSEMI		栅
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7页	121K
描述
Quad 2−Input NOR Gate High−Performance Silicon−Gate CMOS

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74HC02 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP14,.3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-30 代码：	R-PDIP-T14
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	NOR GATE	最大I（ol）：	0.004 A
端子数量：	14	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP14,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
电源：	2/6 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	23 ns
施密特触发器：	NO	子类别：	Gates
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

74HC02 数据手册

74HC02

Quad 2−Input NOR Gate

High−Performance Silicon−Gate CMOS

The 74HC02 is identical in pinout to the LS02. The device inputs are

compatible with standard CMOS outputs; with pullup resistors, they

are compatible with LSTTL outputs.

http://onsemi.com

Features

MARKING

• Output Drive Capability: 10 LSTTL Loads

• Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL

• Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V

DIAGRAMS

SOIC−14

D SUFFIX

CASE 751A

HC02G

AWLYWW

• Low Input Current: 1.0 mA

• High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices

• In Compliance with the Requirements Defined by JEDEC Standard

No. 7A

• ESD Performance: HBM > 2000 V; Machine Model > 200 V

• Chip Complexity: 40 FETs or 10 Equivalent Gates

• These are Pb−Free Devices

TSSOP−14

DT SUFFIX

CASE 948G

ALYW G

LOGIC DIAGRAM

HC02

= Device Code

= Assembly Location

WL or L = Wafer Lot

= Year

WW or W = Work Week

Y = A + B

G or G

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

FUNCTION TABLE

Inputs

Output

PIN 14 = V

PIN 7 = GND

PIN ASSIGNMENT

13 Y4

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 4 of this data sheet.

11 A4

10 Y3

GND

Semiconductor Components Industries, LLC, 2007

Publication Order Number:

March, 2007 − Rev. 1

74HC02/D

12 3 4 5 6 7

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