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71V416YL12Y8

更新时间： 2024-01-24 04:22:51

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	101K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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技术参数
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71V416YL12Y8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J44	JESD-609代码：	e0
长度：	28.575 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.683 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

71V416YL12Y8 数据手册

IDT71V416YS, IDT71V416YL 3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (256K x 16-Bit)

Commercial and Industrial Temperature Ranges

Timing Waveform of Write Cycle No. 2 (CS Controlled Timing)^(1,3)

tWC

ADDRESS

tAW

(2)

tAS

tCW

tBW

BHE, BLE

tWP

tWR

DATAOUT

DATAIN

tDH

tDW

DATAIN VALID

6442 drw 0

Timing Waveform of Write Cycle No. 3

(BHE, BLE Controlled Timing)^(1,3)

tWC

ADDRESS

tAW

(2)

tCW

tAS

tBW

BHE, BLE

tWP

tWR

DATAOUT

DATAIN

tDH

tDW

DATAIN VALID

6442 drw 1

NOTES:

1. A write occurs during the overlap of a LOW CS, LOW BHE or BLE, and a LOW WE.

2. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.

3. If the CS LOW or BHE and BLE LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.

6.42

1...4 5 678 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
71V416YL12YG	IDT	Standard SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-44	获取价格
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