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71V3557SA80BGI

更新时间： 2024-01-08 10:51:19
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 512K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

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71V3557SA80BGI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.28最长访问时间：8 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：95 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.36 mm最大待机电流：0.045 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.26 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

71V3557SA80BGI 数据手册

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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
ZBT™ Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Pin Configuration — 256K x 18  
Absolute Maximum Ratings (1)  
Commercial &  
Industrial Values  
Symbol  
Rating  
Unit  
(2)  
TERM  
V
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to +4.6  
V
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81  
1
80  
79  
78  
77  
NC  
NC  
NC  
VDDQ  
VSS  
NC  
NC  
I/O8  
I/O9  
VSS  
VDDQ  
I/O10  
I/O11  
VSS  
VDD  
A10  
NC  
NC  
VDDQ  
VSS  
NC  
I/OP1  
I/O7  
I/O6  
VSS  
VDDQ  
I/O5  
I/O4  
VSS  
(3,6)  
(4,6)  
(5,6)  
TERM  
DD  
V
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to V  
V
V
2
3
4
5
76  
75  
74  
73  
TERM  
V
DD  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to V +0.5  
6
7
8
9
72  
71  
TERM  
V
DDQ  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to V +0.5  
V
10  
11  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
12  
Commercial  
Operating Temperature  
-0 to +70  
-40 to +85  
-55 to +125  
-55 to +125  
oC  
oC  
oC  
oC  
W
13  
(1)  
14  
(7)  
(1)  
A
T
15  
VSS  
(2)  
16  
VDD  
VDD  
VSS/ZZ  
I/O3  
I/O2  
VDDQ  
Industrial  
Operating Temperature  
(1,4)  
17  
VSS  
I/O12  
I/O13  
VDDQ  
VSS  
I/O14  
18  
19  
20  
BIAS  
T
Temperature  
Under Bias  
21  
VSS  
I/O1  
22  
23  
I/O15  
I/OP2  
NC  
VSS  
VDDQ  
NC  
58  
57  
56  
55  
I/O0  
NC  
NC  
VSS  
VDDQ  
NC  
24  
STG  
T
Storage  
Temperature  
25  
26  
,
27  
54  
53  
T
28  
P
Power Dissipation  
DC Output Current  
2.0  
50  
29  
NC  
NC  
52  
51  
NC  
NC  
30  
OUT  
I
mA  
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50  
5282 tbl 06  
5282 drw 02a  
NOTES:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may  
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional  
operation of the device at these or any other conditions above those indicated  
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
2. VDD terminals only.  
3. VDDQ terminals only.  
4. Input terminals only.  
5. I/O terminals only.  
6. This is a steady-state DC parameter that applies after the power supply has  
reached its nominal operating value. Power sequencing is not necessary;  
however, the voltage on any input or I/O pin cannot exceed VDDQ during power  
supply ramp up.  
Top View  
100TQFP  
NOTES:  
1. Pins14,64,and66donothavetobeconnecteddirectlytoVSSaslongastheinputvoltage  
is < VIL.  
2. Pin 16 does not have to be connected directly to VDD as long as the input voltage  
is > VIH.  
3. Pins 83 and 84 are reserved for future 8M and 16M respectively.  
4. Pin 64 supports ZZ (sleep mode) for the latest die revisions.  
7. TA is the "instant on" case temperature.  
100TQFPCapacitance(1)  
(TA = +25°C, F = 1.0MHZ)  
119BGACapacitance(1)  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
VIN = 3dV  
VOUT = 3dV  
Max. Unit  
(TA = +25°C, F = 1.0MHZ)  
Symbol  
CIN  
Symbol  
CIN  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
VIN = 3dV  
VOUT = 3dV  
Max. Unit  
5
7
pF  
7
7
pF  
CI/O  
pF  
5282 tbl 07  
CI/O  
pF  
5282 tbl 07a  
119BGACapacitance(1)  
(TA = +25°C, F = 1.0MHZ)  
Symbol  
CIN  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
Conditions  
VIN = 3dV  
VOUT = 3dV  
Max. Unit  
TBD  
TBD  
pF  
CI/O  
pF  
5282 tbl 07b  
NOTE:  
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.  
6.42  
6
1...3456789...28

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71V3557SA80BGI8 IDT ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, POWER, PLASTIC, BGA-119

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