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71V2558XS100BGG8

更新时间： 2024-02-13 15:56:55

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艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
28页	567K
描述
ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119

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技术参数
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71V2558XS100BGG8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	JESD-609代码：	e1
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
端子数量：	119	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

71V2558XS100BGG8 数据手册

IDT71V2556, IDT71V2558, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs

with 2.5V I/O, Burst Counter, and Pipelined Outputs

Commercial and Industrial Temperature Ranges

FunctionalBlockDiagram

256x18 BIT

MEMORY ARRAY

LBO

Address A [0:17]

Address

CE1, CE2, CE2

R/W

CEN

Control

ADV/LD

BWx

Control Logic

Clk

Mux

Sel

Output Register

Clock

Gate

4875 drw 01b

TMS

TDI

TCK

Data I/O [0:15],

I/O P[1:2]

JTAG

(SA Version)

TDO

TRST

(optional)

RecommendedDCOperating

Conditions

Symbol

Parameter

Core Supply Voltage

I/O Supply Voltage

Supply Voltage

Min.

3.135

2.375

Typ.

Max.

3.465

2.625

Unit

DDQ

3.3

2.5

____

Input High Voltage - Inputs

Input High Voltage - I/O

Input Low Voltage

1.7

DD +0.3

(2)

____

1.7

VDDQ +0.3

-0.3⁽¹⁾

0.7

4875 tbl 03

NOTES:

1. VIL (min.) = –1.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.

2. VIH (max.) = +6.0V for pulse width less than tCYC/2, once per cycle.

6.442

1 2 345 6 7...28

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
71V2558XS100BGGI	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119, 22 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-028AA, BGA-	获取价格
71V2558XS100BGGI8	IDT	ZBT SRAM, 256KX18, 5ns, CMOS, PBGA119	获取价格
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