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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.21 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 24.2062 mm |
| 内存密度： | 32768 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.3 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 24.2062 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7143LA25JI | IDT | PLCC-68, Tube |
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| 7143LA25PF8 | IDT | TQFP-100, Reel |
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| 7143LA25PFI | IDT | TQFP-100, Tray |
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|
| 7143LA25PFI8 | IDT | TQFP-100, Reel |
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| 7143LA35FI | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQFP68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, FP-68 |
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| 7143LA35GI | IDT | Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, |
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