是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QFP, QFP64,.47SQ,20 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.45 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 64 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.165 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
71421SA35TFG8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71421SA35TFGI | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71421SA35TFGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71421SA45J | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
71421SA55JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
71421SA55JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
71421SA55JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
71421SA55JGI8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
71421SA55PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 | |
71421SA55PFG8 | IDT |
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HIGH SPEED 2K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM |