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7130SA55TFG

更新时间： 2024-02-27 02:50:00

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艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	272K
描述
Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64

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7130SA55TFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP64,.47SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.01
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
长度：	10 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.155 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

7130SA55TFG 数据手册

IDT7130SA/LAandIDT7140SA/LA

High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM

Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges

PinConfigurations^(1,2,3)(con't.)

01/22/13

INDEX

OER

A0L

A1L

A2L

A3L

A4L

A5L

A6L

IDT7130/40TF or PF

PP64-1 & PN64-1⁽⁴⁾

64-Pin STQFP

64-Pin TQFP

Top View⁽⁵⁾

N/C

A7R

A8R

A9R

A7L

A8L

A9L

N/C

I/O0L

I/O1L

I/O2L

N/C

I/O7R

I/O6R

2689 drw 05

NOTES:

1. All V^CCpins must be connected to power supply.

2. All GND pins must be connected to ground supply.

3. PP64-1 package body is approximately 10 mm x 10 mm x 1.4mm.

PN64-1 package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.

4. This package code is used to reference the package diagram.

5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.

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