5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.27 |
| 最长访问时间： | 25 ns | JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 24.2062 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 24.2062 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V05S25JGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V05S25PF8 | IDT |
获取价格 |
TQFP-64, Reel |
|
| 70V05S25PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
|
| 70V05S25PFG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V05S25PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
|
| 70V05S25PFGI8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V05S35G | IDT |
获取价格 |
PGA-68, Tray |
|
| 70V05S35GG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V05S35GG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
| 70V05S35GGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
