是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.26 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J84 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 84 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC84,1.2SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.005 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.23 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
7008L55JG8 | IDT | Dual-Port SRAM |
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7008L55JGB8 | IDT | Dual-Port SRAM |
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7008L55JGI | IDT | Multi-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84 |
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7008L55JGI8 | IDT | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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7008L55JI | IDT | Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
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7008L55PFG | IDT | Multi-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQFP100 |
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