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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QCCJ, LDCC84,1.2SQ |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.26 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J84 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC84,1.2SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.23 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7008L55JG8 | IDT | Dual-Port SRAM |
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| 7008L55JGB8 | IDT | Dual-Port SRAM |
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| 7008L55JGI | IDT | Multi-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84 |
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| 7008L55JGI8 | IDT | HIGH-SPEED 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7008L55JI | IDT | Dual-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |
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| 7008L55PFG | IDT | Multi-Port SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PQFP100 |
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