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7007L20JG

更新时间： 2024-01-19 23:26:40
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 356K
描述
HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

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7007L20JG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ, PGA68,11X11针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.27
最长访问时间：20 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-PQCC-J68JESD-609代码：e3
长度：24.2062 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端口数量：2端子数量：68
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QCCJ封装等效代码：PGA68,11X11
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.572 mm最大待机电流：0.005 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.275 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：24.2062 mmBase Number Matches：1

7007L20JG 数据手册

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IDT7007S/L  
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM  
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges  
Truth Table I: Non-Contention Read/Write Control  
Inputs(1 )  
R/W  
Outputs  
I/O0-7  
Mode  
CE  
H
L
OE  
X
SEM  
H
X
L
High-Z  
DATAIN  
Deselected: Power-Down  
Write to Memory  
X
H
L
H
X
L
H
DATAOUT Read Memory  
High-Z Outputs Disabled  
X
H
X
2940 tbl 02  
NOTE:  
1. A0L — A14L ≠ A0R — A14R  
Truth Table II: Semaphore Read/Write Control(1)  
Inputs  
Outputs  
R/W  
I/O0-7  
Mode  
-I/O  
CE  
OE  
SEM  
H
H
L
L
DATAOUT  
Read Semaphore Flag Data Out (I/O  
0
7)  
H
L
↑
X
X
L
L
DATAIN  
Write I/O  
0 into Semaphore Flag  
______  
X
Not Allowed  
2940 tbl 03  
NOTE:  
1. There are eight semaphore flags written to via I/O0 and read from all I/O's. These eight semaphores are addressed by A0 - A2.  
AbsoluteMaximumRatings(1)  
MaximumOperatingTemperature  
andSupplyVoltage(1)  
Symbol  
Rating  
Commercial  
& Industrial  
Military  
Unit  
Ambient  
(2)  
Grade  
Temperature  
-55OC to+125OC  
0OC to +70OC  
-40OC to +85OC  
GND  
0V  
Vcc  
V
TERM  
Terminal Voltage  
with Respect  
to GND  
-0.5 to +7.0  
-0.5 to +7.0  
V
Military  
5.0V  
5.0V  
5.0V  
+
+
+
10%  
10%  
10%  
Te mp e rature  
Under Bias  
-55 to +125  
-65 to +150  
50  
-65 to +135  
-65 to +150  
50  
oC  
oC  
Commercial  
Industrial  
0V  
T
BIAS  
0V  
Storage  
Te mp e rature  
TSTG  
2940 tbl 05  
NOTES:  
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.  
IOUT  
DC Output  
Current  
mA  
2940 tbl 04  
NOTES:  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM  
RATINGS  
RecommendedDCOperating  
Conditions  
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and  
functional operation of the device at these or any other conditions above those  
indicated in the operational sec-tions of this specification is not implied. Exposure  
to absolute maxi-mum rating conditions for extended periods may affect  
reliability.  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
V
CC  
Supply Voltage  
4.5  
5.0  
5.5  
0
V
V
V
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns  
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > Vcc + 10%.  
GND  
Ground  
0
0
V
IH  
IL  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
6.0(2)  
0.8  
____  
Capacitance(TA = +25°C, f = 1.0Mhz)  
-0.5(1)  
V
____  
V
Symbol  
Parameter(1)  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Conditions(2)  
Max.  
Unit  
2940 tbl 06  
NOTES:  
CIN  
V
IN = 3dV  
9
pF  
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.  
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.  
COUT  
V
OUT = 3dV  
10  
pF  
2940 tbl 07  
NOTES:  
1. This parameter is determined by device characterization but is not production  
tested. TQFP package only.  
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals  
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.  
5
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
7007L20JG8 IDT Multi-Port SRAM, 32KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN,

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