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7006L20GGB

更新时间： 2024-01-21 08:54:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 182K
描述
Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, CERAMIC, PGA-68

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7006L20GGB 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：PGA
包装说明：PGA, PGA68,11X11针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.05
Is Samacsys：N最长访问时间：20 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-CPGA-P68
JESD-609代码：e3长度：27.889 mm
内存密度：131072 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：68
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：16KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：PGA封装等效代码：PGA68,11X11
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535座面最大高度：2.413 mm
最大待机电流：0.004 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：MATTE TIN端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：27.889 mm
Base Number Matches：1

7006L20GGB 数据手册

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HIGH-SPEED  
16K x 8 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT7006S/L  
◆
M/S = H for BUSY output flag on Master,  
M/S = L for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Devices are capable of withstanding greater than 2001V  
electrostatic discharge  
Battery backup operation—2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply  
Available in 68-pin PGA, quad flatpack, PLCC, and a 64-pin  
TQFP  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Green parts available, see ordering information  
Features  
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
◆
◆
◆
reads of the same memory location  
High-speed access  
◆
– Military:20/25/35/55/70ns(max.)  
– Industrial:55ns (max.)  
◆
◆
– Commercial:15/17/20/25/35/55ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT7006S  
◆
◆
◆
Active:750mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT7006L  
Active:700mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
IDT7006 easily expands data bus width to 16 bits or more  
◆
◆
◆
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
FunctionalBlockDiagram  
OE  
R
OEL  
CE  
R/W  
R
CE  
L
R/W  
L
R
I/O0L- I/O7L  
I/O0R-I/O7R  
I/O  
I/O  
Control  
Control  
BUSY (1,2)  
L
(1,2)  
BUSY  
R
A
13L  
A
13R  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A
0L  
A
0R  
14  
14  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
L
CE  
OE  
R/W  
R
R
L
R
L
SEM  
R
SEM (2)  
L
M/S  
(2)  
INT  
L
INTR  
2739 drw 01  
NOTES:  
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
OCTOBER 2008  
1
©2008IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-2739/16  
1234567...20

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与7006L20GGB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
7006L20GGB8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7006L20GGI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7006L20GGI8 IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
7006L20GI IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC,
7006L20JGB8 IDT

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 		HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
7006L20PF9 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
7006L20PFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
7006L20PFGB IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64
7006L20PFGB8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64

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