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6MBP200XDN065-50

更新时间： 2024-04-09 18:59:35

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富士电机 - FUJI		栅
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12页	1251K
描述
IPM(Inv.+Gate Driver) P630

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6MBP200XDN065-50 数据手册

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6MBP200XDN065-50

IGBT Modules

Reversed biased safe operating area (max.)

Transient thermal resistance (max.)

V _CC=15V,T _vj=150°C

800

600

FWD

IGBT

400

0.1

RBSOA

(Repetitive pulse)

200

0.01

0.001

0.01

0.1

200

400

600

800

Collector-Emitter voltage : V _CE[ V ]

Pulse width : P _W[ sec ]

Power derating for IGBT (max.)

[ per device ]

Power derating for FWD (max.)

[ per device ]

1200

1000

800

600

400

200

1200

1000

800

600

400

200

100

150

100

150

Case temperature : T _C[ °C ]

FM6M2026a

2023/03

1...6 7 8910 11 12

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