6A1GP

更新时间： 2024-01-03 20:50:02

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	84K
描述
DIODE 6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, PLASTIC, R-6, 2 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

6A1GP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	0.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.95 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	400 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

6A1GP 数据手册

M C C

6A05

THRU

6A10

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Low Cost

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Surge Current Capability

Low Leakage

6 Amp Rectifier

50 - 1000 Volts

Maximum Ratings

R-6

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 10°C/W Junction To Ambient

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Recurrent

Peak

Reverse

Voltage

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

6A05

6A1

6A2

6A4

6A6

6A8

6A10

---

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

140V

280V

420V

560V

700V

Cathode

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

6.0A

T_A= 60°C

Peak Forward Surge

Current

I_FSM

400A

8.3ms, half sine

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

I_R

0.95V

I_FM= 6.0A;

T_J= 25°C*

10mA

100mA

T_J= 25°C

T_J= 100°C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.340

.048

MIN

DIM

MAX

.360

.052

---

MAX

9.10

1.30

---

NOTE

8.60

Typical Junction

Capacitance

C_J

150pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

1.20

1.000

25.40

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%

www.mccsemi.com

12 3

下载PDF

与6A1GP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
6A1-GT3	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN	获取价格
6A1G-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-	获取价格
6A1G-TP-HF	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
6A1H41	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
6A1H42	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格
6A1H43	RECTRON	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格