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6116SA70EB

更新时间： 2024-01-01 18:34:02

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	515K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-24

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6116SA70EB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, CERAMIC, PACKAGE-24
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDFP-F24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QFF
封装等效代码：	FL24,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class B
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	6	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6116SA70L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC28
6116SA70L32	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CQCC32
6116SA70P	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP24
6116SA70SO	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDSO24
6116SA70SOB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24
6116SA70YB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
6116SA90D	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24
6116SA90DI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24
6116SA90L24B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC24
6116SA90L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28