是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6116SA70YB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
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6116SA90D | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24 |
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6116SA90DI | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24 |
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6116SA90L24B | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC24 |
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6116SA90L28 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC28 |
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6116SA90L32 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32 |
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6116SA90PB | IDT |
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Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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6116SA90SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PDSO24 |
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6116SA90TPB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
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6116-W | MOLEX |
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Barrier Strip Terminal Block, 10A, 1 Row(s), 1 Deck(s) |
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