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5STP30H1401

更新时间： 2024-01-24 10:59:57

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ABB		栅极
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6页	142K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP30H1401 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4882 A
断态重复峰值电压：	1400 V	重复峰值反向电压：	1400 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

5STP30H1401 数据手册

5STP 30H1801

On-state

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Average on-state current

RMS on-state current

I_T(AV)M

I_T(RMS)

I_TSM

Half sine wave, T_c= 70°C

3108

4882

47×10³

Peak non-repetitive surge

current

tp = 10 ms, T_vj= 125 °C,

V_D= V_R= 0 V

Limiting load integral

I²t

11.05×10⁶A²s

50.2×10³

Peak non-repetitive surge

current

I_TSM

tp = 8.3 ms, T_vj= 125 °C,

V_D= V_R= 0 V

Limiting load integral

Characteristic values

Parameter

I²t

10.46×10⁶A²s

Symbol Conditions

min

typ

max

1.3

Unit

On-state voltage

Threshold voltage

Slope resistance

Holding current

V_T

V_(T0)

r_T

I_T= 4000 A, T_vj= 125 °C

I_T= 4000 A - 11500 A, T_vj= 125 °C

0.984

0.081

I_H

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

170

Latching current

I_L

1500

1000

Switching

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Critical rate of rise of on-

state current

di/dt_crit

T_vj= 125 °C,

Cont.

200

A/µs

I_TRM= A,

f = 50 Hz

Cont.

Critical rate of rise of on-

state current

di/dt_crit

1000

A/µs

µs

V_D£ 1880 V,

f = 1 Hz

I_FG= 2 A, t_r= 0.3 µs

Circuit-commutated turn-off t_q

time

T_vj= 125°C, I_TRM= 4000 A,

V_R= 100 V, di_T/dt = -12.5 A/µs,

200

V_D£ 0.67×V_DRM, dv_D/dt = 50V/µs

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

2800

max

Unit

Recovery charge

Q_rr

T_vj= 125°C, I_TRM= 4000 A,

V_R= 100 V,

µAs

di_T/dt = -12.5 A/µs

Gate turn-on delay time

t_gd

µs

V_D= 0.4×V_RM, I_FG= 2 A,

t_r= 0.3 µs, T_vj= 25 °C

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1066-01 March 05

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